टाइटेनियम सिलिकॉन Sputtering लक्ष्य
टाइटेनियम सिलिकॉन Sputtering लक्ष्य
FANMETAL PVD कोटिंग सिस्टम में इस्तेमाल किया Ti-Si मिश्र धातु टाइटेनियम सिलिकॉन sputtering लक्ष्य की आपूर्ति. TiSi मिश्र धातु compostion: 85:15at% 80:20at% 75:25at% | हम उच्च शुद्धता 99.9999% के लिए धातु लक्ष्य और वाष्पीकरण सामग्री भी प्रदान करते हैं, कीमती धातु लक्ष्य (Au, Ag, Pt) , लक्ष्य बंधन सेवा, क्रूसिबल लाइनर (तांबा, मोलिब्डेनम, टंगस्टन आदि)
मैग्नेट्रॉन sputtering कोटिंग भौतिक वाष्प कोटिंग विधि का एक नया प्रकार है। यह मढ़वाया जाने वाली सामग्री पर इलेक्ट्रॉनों को उत्सर्जित करने और ध्यान केंद्रित करने के लिए एक इलेक्ट्रॉन गन सिस्टम का उपयोग करता है, ताकि sputtered परमाणु संवेग रूपांतरण के सिद्धांत का पालन करें और सामग्री को उच्च गतिज ऊर्जा के साथ छोड़ दें। एक फिल्म जमा करने के लिए सब्सट्रेट के लिए उड़ान भरें। मढ़वाया जा करने के लिए इस सामग्री को एक sputtering लक्ष्य कहा जाता है। Sputtering लक्ष्य धातुओं, मिश्र धातुओं, और सिरेमिक यौगिकों में शामिल हैं।
टाइटेनियम सिलिकॉन Sputtering लक्ष्य चित्र:
प्रकार | रासायनिक Comp. | पवित्रता | आकृतियां | संसाधन |
एल्यूमीनियम आधारित मिश्र धातुओं | Al-Mg | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना |
अल-सी | 4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
अल-सी-एमजी | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
अल-सी-क्यू | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Zn-Al | 4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
कोबाल्ट आधारित मिश्र धातुओं | सह-Cr | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना |
Co-Fe | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Co-Ni | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Co-Ni-Cr | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
निकल आधारित मिश्र धातुओं | Ni-Cr | 3N5 | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना |
Ni-Co | 4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ni-Cu | 4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ni-Cr-Al | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ni-Cr-Al-Si | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ni-Cr-Si | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ni-Fe | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ni-V | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
टाइटेनियम आधारित मिश्र धातुओं | Ti-Al | 4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | गर्म Isostatic प्रेसिंग |
Ti-Cr | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ti-Si | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Ti-Zr | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
W-Ti | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
अन्य मिश्र धातुओं | Cr-Si | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | विशेष Sintering |
Cr-V | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Fe-Mn | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Fe-Co-B | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | विशेष Sintering | |
इन-एसएन | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना | |
Zr-Fe | 3N,4N | इंगोट, कण, लक्ष्य | निर्वात पिघलना |
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