पीवीडी 4एन निकेल स्पटरिंग लक्ष्य
पीवीडी 4एन निकेल स्पटरिंग लक्ष्य विवरण
PVD 4N निकेल स्पटरिंग टारगेट PVD तकनीक के लिए उच्च शुद्धता वाले निकेल पदार्थ से बना एक लक्ष्य है, जो उच्च शक्ति और उच्च प्रदर्शन आवश्यकताओं वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए उत्कृष्ट चालकता और कण न्यूनीकरण के साथ पतली फिल्मों की उपलब्धि को सक्षम बनाता है। PVD तकनीक में मुख्य रूप से वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग, वैक्यूम स्पटरिंग कोटिंग और आयन कोटिंग विधियाँ शामिल हैं, जो विभिन्न सामग्रियों की सतह पर एक समान और सघन फ़िल्में बना सकती हैं। PVD 4N निकेल स्पटरिंग टारगेट का व्यापक रूप से सेमीकंडक्टर सामग्री, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और डिस्प्ले डिवाइस और सौर सेल निर्माण में इसके अच्छे प्रसंस्करण प्रदर्शन, मजबूत फिल्म आसंजन, अच्छी समान कॉम्पैक्टनेस, मजबूत पहनने के प्रतिरोध, मजबूत संक्षारण प्रतिरोध, अच्छी उच्च तापमान स्थिरता, कम लागत और उत्कृष्ट चुंबकीय प्रतिक्रिया विशेषताओं के कारण डिवाइस के प्रदर्शन और स्थिरता को बेहतर बनाने के लिए उपयोग किया जाता है।
पीवीडी 4एन निकल स्पटरिंग लक्ष्य विनिर्देश:
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पवित्रता |
99.99(4N) |
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तकनीक |
गर्म आइसोस्टेटिक दबाव, सिंटरिंग, फोर्जिंग, एनीलिंग |
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आकार |
Φ101.6-3.175मिमी |
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मोटाई |
1मिमी से 10मिमी |
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व्यास |
10मिमी से 360मिमी |
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घनत्व |
8.9 ग्राम/सेमी3 |
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आकार |
डिस्क |
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सतह |
चमकाने, क्षार सफाई, पीस, काले ऑक्साइड, आदि। |
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मानक: |
एएसटीएम बी865,जीबी |
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प्रमाणीकरण |
आईएसओ9001:2008 |
पीवीडी 4एन निकल स्पटरिंग लक्ष्य चित्र:
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